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文献
J-GLOBAL ID：201302219680501102
整理番号：13A0026534
原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減
Reduction in Threshold Voltage Shift of Insulated-gate GaN-HEMT Using ALD-Al2O3 Films
尾崎史朗
(富士通研)
,
多木俊裕
(富士通研)
,
金村雅仁
(富士通研)
,
今田忠紘
(富士通研)
,
中村哲一
(富士通研)
,
岡本直哉
(富士通研)
,
宮島豊生
(富士通研)
,
吉川俊英
(富士通研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 327(ED2012 65-92) ページ： 41-44 発行年： 2012年11月22日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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