文献
J-GLOBAL ID:201302220141558670
整理番号:13A1317088
AlGaN/GaN素子不動態化用に原子層堆積した誘電体の性質
Properties of atomic layer deposited dielectrics for AlGaN/GaN device passivation
著者 (5件):
RAMANAN Narayanan
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
LEE Bongmook
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
KIRKPATRICK Casey
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SURI Rahul
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
MISRA Veena
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
28
号:
7
ページ:
074004,1-5
発行年:
2013年07月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)