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文献
J-GLOBAL ID：201302220425189233
整理番号：13A0827921
金属(CoSi2)層上で成長させたSi/CaF2/CdF2 量子井戸構造の抵抗スイッチングメモリ特性
Resistance Switching Memory Characteristics of Si/CaF2/CdF2 Quantum-Well Structures Grown on Metal (CoSi2) Layer
DENDA Junya
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
URYU Kazuya
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
WATANABE Masahiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 4,Issue 2 ページ： 04CJ07.1-04CJ07.4 発行年： 2013年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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