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文献
J-GLOBAL ID：201302220506165878
整理番号：13A1594005
LaAlO3基板上のSrRuO3エピタキシャル薄膜における歪緩和
Strain relaxation in epitaxial SrRuO3 thin films on LaAlO3 substrates
GAO M.
(State Key Lab. of Electronic Thin films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
,
DU H.
(State Key Lab. of Electronic Thin films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
,
MA C. R.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Texas at San Antonio, San Antonio, Texas 78249, USA and Dep. of Physics and ...)
,
LIU M.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Texas at San Antonio, San Antonio, Texas 78249, USA and Dep. of Physics and ...)
,
COLLINS G.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Texas at San Antonio, San Antonio, Texas 78249, USA and Dep. of Physics and ...)
,
ZHANG Y. M.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Texas at San Antonio, San Antonio, Texas 78249, USA and Dep. of Physics and ...)
,
DAI C.
(State Key Lab. of Electronic Thin films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
,
CHEN C. L.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Texas at San Antonio, San Antonio, Texas 78249, USA and Dep. of Physics and ...)
,
LIN Y.
(State Key Lab. of Electronic Thin films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 14 ページ： 141901-141901-4 発行年： 2013年09月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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