文献
J-GLOBAL ID:201302221512052887
整理番号:13A1167308
原子層蒸着により作製したZrO2/GaAs MOSキャパシタの電気特性
Electrical characteristics of ZrO2/GaAs MOS capacitor fabricated by atomic layer deposition
著者 (5件):
KONDA R. B.
(Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504)
,
WHITE C.
(Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504)
,
THOMAS D.
(Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504)
,
YANG Q.
(Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504)
,
PRADHAN A. K.
(Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
31
号:
4
ページ:
041505-041505-6
発行年:
2013年07月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)