文献
J-GLOBAL ID:201302222448745462
整理番号:13A0015155
MOSゲートパワーデバイスにおける負性ゲートキャパシタンスの研究
Investigation of Negative Gate Capacitance in MOS-Gated Power Devices
著者 (3件):
LONG Hong Yao
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
SWEET Mark R.
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
NARAYANAN Ekkanath Madathil S
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
12
ページ:
3464-3469
発行年:
2012年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)