文献
J-GLOBAL ID:201302224545847990
整理番号:13A1087891
Thickness and material dependence of capping layers on flatband voltage (V FB) and equivalent oxide thickness (EOT) with high-k gate dielectric/metal gate stack for gate-first process applications
著者 (1件):
CHOI Changhwan
(Div. of Materials Sci. and Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
89
ページ:
34-36
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)