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文献
J-GLOBAL ID：201302224838354904
整理番号：13A0358874
Si(111)上のBaSi2エピタキシャル膜におけるホウ素原子の格子拡散および粒界拡散
Lattice and grain-boundary diffusions of boron atoms in BaSi2 epitaxial films on Si(111)
NAKAMURA K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
BABA M.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
AJMAL KHAN M.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
DU W.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
SASASE M.
(The Wakasa Wan Energy Res. Center, Tsuruga, Fukui 914-0192, JPN)
,
HARA K. O.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
USAMI N.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
TOKO K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
SUEMASU T.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 113 号： 5 ページ： 053511-053511-4 発行年： 2013年02月07日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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