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文献
J-GLOBAL ID：201302225030490840
整理番号：13A1654780
3次元集積回路における応用のためのスルーシリコンバイア近くの最適化された新しいトレンチ構造によるキープアウト領域の減少
The reduction of keep-out zone (~10×) by the optimized novel trench structures near the through silicon vias for the application in 3-dimensional integrated circuits
LIAO M. H.
(Dep. of Mechanical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 114 号： 15 ページ： 153515-153515-4 発行年： 2013年10月21日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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