文献
J-GLOBAL ID:201302225952780529
整理番号:13A1002454
エピタキシャルPb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜のSchottkyダイオード的挙動の界面電極制御 臨界解析
Electrode interface control of the Schottky diode-like behavior in epitaxial Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films: A critical analysis
著者 (6件):
HRIB L. M.
(National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM)
,
BONI A. G.
(National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM)
,
CHIRILA C.
(National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM)
,
PASUK I.
(National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM)
,
PINTILIE I.
(National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM)
,
PINTILIE L.
(National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
113
号:
21
ページ:
214108-214108-10
発行年:
2013年06月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)