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文献
J-GLOBAL ID：201302226056610378
整理番号：13A1418825
GaN/サファイアテンプレート上とAlN/Si(111)基板上に成長した中間In組成の有機金属気相エピタキシャルInGaNの比較研究
A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions of Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate
YAMAMOTO Akio
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
YAMAMOTO Akio
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
MIHARA Akihiro
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
ZHENG Yangdong
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
ZHENG Yangdong
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 8,Issue 2 ページ： 08JB19.1-08JB19.4 発行年： 2013年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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