文献
J-GLOBAL ID:201302226169173748
整理番号:13A0794580
Nernst限界(59mV/pH)を超える:自律型応用向きのCMOS利用pHセンサ
Exceeding Nernst Limit (59mV/pH): CMOS-Based pH Sensor for Autonomous Applications
著者 (4件):
PARIZI Kokab B.
(Stanford Univ., CA, USA)
,
YEH Alexander J.
(Stanford Univ., CA, USA)
,
POON Ada S. Y.
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WONG H. S. Philip
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2012
ページ:
557-560
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)