文献
J-GLOBAL ID:201302226312307033
整理番号:13A0811091
アルミニウム注入による高k金属ゲートPMOS FinFET閾値電圧の調整
High-k metal-gate PMOS FinFET threshold voltage tuning with aluminum implantation
著者 (11件):
RAO K. V.
(Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA)
,
NGAI T.
(Sematech, NY, USA)
,
HOBBS C.
(Sematech, NY, USA)
,
RODGERS M.
(SUNY, NY, USA)
,
VIVEKANAND S.
(SUNY, NY, USA)
,
CHAVVA V.
(Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA)
,
KHAJA F.
(Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA)
,
HENRY T.
(Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA)
,
SHIM K. H.
(Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA)
,
KIRSCH P.
(Sematech, NY, USA)
,
JAMMY R.
(Sematech, NY, USA)
資料名:
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻:
1496
ページ:
38-41
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0071C
ISSN:
0094-243X
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)