文献
J-GLOBAL ID:201302226774783159
整理番号:13A1395804
NドープSiC準整列ナノ配列の成長と電界放出特性
Growth of flexible N-doped SiC quasialigned nanoarrays and their field emission properties
著者 (9件):
CHEN Shanliang
(China Univ. Mining and Technol., Xuzhou City, CHN)
,
CHEN Shanliang
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
,
YING Pengzhan
(China Univ. Mining and Technol., Xuzhou City, CHN)
,
WANG Lin
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
,
WEI Guodong
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
,
ZHENG Jinju
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
,
GAO Fengmei
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
,
SU Shubing
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
,
YANG Weiyou
(Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
1
号:
31
ページ:
4779-4784
発行年:
2013年08月21日
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)