文献
J-GLOBAL ID:201302226903132909
整理番号:13A0099756
超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
Fabrication of Ultrahigh-Voltage SiC PiN Diodes with Low On-Resistance
著者 (4件):
梶直樹
(京大 大学院工学研究科)
,
丹羽弘樹
(京大 大学院工学研究科)
,
須田淳
(京大 大学院工学研究科)
,
木本恒暢
(京大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
337(SDM2012 115-137)
ページ:
1-5
発行年:
2012年11月30日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)