文献
J-GLOBAL ID:201302227242530690
整理番号:13A0079912
異方性g因子を有するp-Si/SiGe/Siへテロ構造における傾斜磁場での磁気抵抗率 パートII
MAGNETORESISTIVITY IN A TILTED MAGNETIC FIELD IN p-Si/SiGe/Si HETEROSTRUCTURES WITH AN ANISOTROPIC g-FACTOR. PART II
著者 (5件):
DRICHKO I. L.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SMIRNOV I. Yu.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SUSLOV A. V.
(National High Magnetic Field Lab., FL, USA)
,
MIRONOV O. A.
(Univ. of Warwick Sci. Park, Coventry, GBR)
,
LEADLEY D. R.
(Univ. of Warwick, Coventry, GBR)
資料名:
Zhurnal Ehksperimental’noj i Teoreticheskoj Fiziki
(Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki)
巻:
142
号:
3
ページ:
542-546
発行年:
2012年09月
JST資料番号:
R0135A
ISSN:
0044-4510
CODEN:
ZETFA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
ロシア (RUS)
言語:
英語 (EN)