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文献
J-GLOBAL ID：201302227690175125
整理番号：13A1554869
バンドギャップを調製できるスピネル型窒化物化合物Si3N4,Ge3N4とSn3N4の電子構造:発光ダイオードへの応用
Electronic Structure of Spinel-Type Nitride Compounds Si3N4, Ge3N4, and Sn3N4 with Tunable Band Gaps: Application to Light Emitting Diodes
BOYKO T.D.
(Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN)
,
HUNT A.
(Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN)
,
ZERR A.
(Univ. Paris-Nord, Villetaneuse, FRA)
,
MOEWES A.
(Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 111 号： 9 ページ： 097402.1-097402.5 発行年： 2013年08月30日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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