前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201302228632219500
整理番号：13A0293113
過渡的電子ビーム誘起電流を使用した多結晶シリコンにおける少数キャリア寿命分布のマッピング
Mapping of minority carrier lifetime distributions in multicrystalline silicon using transient electron-beam-induced current
KUSHIDA Takuya
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TANAKA Shigeyasu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MORITA Chiaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TANJI Takayoshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OHSHITA Yoshio
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Electron Microscopy
(Journal of Electron Microscopy)
巻： 61 号： 5 ページ： 293-298 発行年： 2012年10月
JST資料番号： W1384A ISSN： 0022-0744 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。