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文献
J-GLOBAL ID：201302229273697685
整理番号：13A0035643
シリコン上に成長させた原子層堆積Al2O3層のブリスタリングそして金属-絶縁体-半導体構造へのその効果
Blistering of atomic layer deposition Al2O3 layers grown on silicon and its effect on metal-insulator-semiconductor structures
BELDARRAIN Oihane
(Inst. de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Bellaterra 08193, ESP)
,
DUCH Marta
(Inst. de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Bellaterra 08193, ESP)
,
ZABALA Miguel
(Inst. de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Bellaterra 08193, ESP)
,
RAFI Joan Marc
(Inst. de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Bellaterra 08193, ESP)
,
GONZALEZ Mireia Bargallo
(Inst. de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Bellaterra 08193, ESP)
,
CAMPABADAL Francesca
(Inst. de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, Bellaterra 08193, ESP)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 31 号： 1 ページ： 01A128-01A128-6 発行年： 2013年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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