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文献
J-GLOBAL ID：201302229692239220
整理番号：13A0252739
Ni誘起横方向結晶化過程でのドープした非晶質シリコン薄膜への電界による影響
Effect of electric field on doped amorphous silicon thin films during Ni induced lateral crystallization
AHN Ji-su
(Nano Device Lab., Sejong Univ., 98 Gunja-dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, KOR)
,
KIM Deok-kee
(Nano Device Lab., Sejong Univ., 98 Gunja-dong, Gwangjin-gu, Seoul 143-747, KOR)
,
JOO Seung-ki
(School of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., San 56-1, Shinrim-Dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742, KOR)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 93 ページ： 233-236 発行年： 2013年02月15日
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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