文献
J-GLOBAL ID:201302229930068871
整理番号:13A1165617
GaAsの負性電子親和力表面形成プロセスの表面光吸収によるin situ観測
In situ Observation of Formation Process of Negative Electron Affinity Surface of GaAs by Surface Photo-Absorption
著者 (8件):
HAYASE Kazuya
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
NISHITANI Tomohiro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
NISHITANI Tomohiro
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
SUZUKI Katsunari
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
IMAI Hironobu
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
HASEGAWA Jun-ichi
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
NAMBA Daiki
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
MEGURO Takashi
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
6,Issue 2
ページ:
06GG05.1-06GG05.3
発行年:
2013年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)