文献
J-GLOBAL ID:201302230024833410
整理番号:13A0722074
4H-SiCをベースにした超高速ドリフトステップ回復ダイオード(DSRD)と真空電界放出ダイオード
Superfast drift step recovery diodes (DSRDs) and vacuum field emission diodes based on 4H-SiC
著者 (6件):
AFANASYEV A. V.
(Saint-Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, Saint-Petersburg, RUS)
,
IVANOV B. V.
(Saint-Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, Saint-Petersburg, RUS)
,
ILYIN V. A.
(Saint-Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, Saint-Petersburg, RUS)
,
KARDO-SYSOEV A. F.
(Ioffe Physical Technical Inst., Saint-Petersburg, RUS)
,
KUZNETSOVA M. A.
(Saint-Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, Saint-Petersburg, RUS)
,
LUCHININ V. V.
(Saint-Petersburg Electrotechnical Univ. “LETI”, Saint-Petersburg, RUS)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
740/742
ページ:
1010-1013
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)