文献
J-GLOBAL ID:201302230333926067
整理番号:13A0794493
近い将来における高密度及び高信頼性3D NANDフラッシュセルに関する素子考察
Device Considerations for High Density and Highly Reliable 3D NAND Flash Cell in Near Future
著者 (2件):
CHOI Eun-Seok
(SK hynix Inc., Gyeonggi-do, KOR)
,
PARK Sung-Kye
(SK hynix Inc., Gyeonggi-do, KOR)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2012
ページ:
211-214
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)