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文献
J-GLOBAL ID：201302231962203511
整理番号：13A1283219
MBE成長Ga2O3およびそのパワー素子応用
MBE grown Ga2O3 and its power device applications
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
SASAKI Kohei
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(PRESTO, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), 7 Gobancho, Chiyoda, Tokyo 102-0075, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
MASUI Takekazu
(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 378 ページ： 591-595 発行年： 2013年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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