前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201302232836010127
整理番号：13A0229134
c面サファイア基板上でMOCVDを使用することによって成長したPtナノクラスタを有するInGaN/GaNエピタキシャル層の微細構造キャラクタリゼーション
Microstructural Characteristization of InGaN/GaN Epitaxial Layers with Pt Nanoclusters Grown by Using MOCVD on c-plane Sapphire Substrates
WAN Zhixin
(Changwon National Univ., Changwon, KOR)
,
HE Yinsheng
(Changwon National Univ., Changwon, KOR)
,
SHIN Keesam
(Changwon National Univ., Changwon, KOR)
,
CHOI Cheljong
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
SUH Eunkyung
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名：
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻： 61 号： 8 ページ： 1283-1286 発行年： 2012年10月31日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。