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文献
J-GLOBAL ID：201302233341815885
整理番号：13A1513840
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
Effect of Vacuum Annealing on Al2O3/GaSb MOS Interfaces
後藤高寛
(東京理大 大学院)
,
後藤高寛
(産業技術総合研)
,
藤川紗千恵
(東京理大 大学院)
,
藤代博記
(東京理大 大学院)
,
小倉睦郎
(産業技術総合研)
,
安田哲二
(産業技術総合研)
,
前田辰郎
(東京理大 大学院)
,
前田辰郎
(産業技術総合研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113 号： 176(ED2013 37-49) ページ： 37-42 発行年： 2013年08月01日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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