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文献
J-GLOBAL ID:201302233341815885   整理番号:13A1513840

真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響

Effect of Vacuum Annealing on Al2O3/GaSb MOS Interfaces
著者 (8件):
後藤高寛
(東京理大 大学院)
後藤高寛
(産業技術総合研)
藤川紗千恵
(東京理大 大学院)
藤代博記
(東京理大 大学院)
小倉睦郎
(産業技術総合研)
安田哲二
(産業技術総合研)
前田辰郎
(東京理大 大学院)
前田辰郎
(産業技術総合研)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 113  号: 176(ED2013 37-49)  ページ: 37-42  発行年: 2013年08月01日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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