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文献
J-GLOBAL ID：201302234373858710
整理番号：13A0829573
RFマグネトロンスパッタリングを用いてCu/Ti/SiO2/Si基板に成長させた非晶質BaTi4O9膜の電気特性
Electrical Properties of Amorphous BaTi4O9 Films Grown on Cu/Ti/SiO2/Si Substrates Using RF Magnetron Sputtering
KIM Jin-Seong
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KANG Min-Gyu
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KANG Min-Gyu
(Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
KWEON Sang-Hyo
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
HAN Guifang
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KANG Chong-Yun
(Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
KANG Chong-Yun
(KU-KIST Graduate School of Converging Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
YUN Jung-Rak
(SAMWHA Capacitor Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR)
,
JEONG Young-Hun
(Korea Inst. of Ceramic Engineering and Technol., Seoul, KOR)
,
PAIK Jong-Hoo
(Korea Inst. of Ceramic Engineering and Technol., Seoul, KOR)
,
NAHM Sahn
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
NAHM Sahn
(KU-KIST Graduate School of Converging Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of the American Ceramic Society
(Journal of the American Ceramic Society)
巻： 96 号： 4 ページ： 1248-1252 発行年： 2013年04月
JST資料番号： C0253A ISSN： 0002-7820 CODEN： JACTAW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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