文献
J-GLOBAL ID:201302235162184948
整理番号:13A0746170
GeドープSbTe相変化材料の高速でスケーラブルなメモリ特性
Fast and scalable memory characteristics of Ge-doped SbTe phase change materials
著者 (7件):
CHEONG Byung-Ki
(Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
LEE Suyoun
(Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
JEONG Jeung-Hyun
(Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR)
,
PARK Sohee
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HAN Seungwu
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
WU Zhe
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
,
AHN Dong-Ho
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻:
249
号:
10
ページ:
1985-1991
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
CODEN:
PSSBBD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)