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文献
J-GLOBAL ID：201302236290802200
整理番号：13A1936937
軽くドーピングしたドレーン領域のドーパント濃度のN型金属誘導横向き結晶 多結晶けい素薄膜トランジスタの電気特性への効果
Graphene Growth and Carbon Diffusion Process during Vacuum Heating on Cu(111)/Al2O3 Substrates
OGAWA Shuichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YAMADA Takatoshi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ISHIDZUKA Shinji
(Nagaoka Univ. Technol. (AIST), Niigata, JPN)
,
YOSHIGOE Akitaka
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
HASEGAWA Masataka
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TERAOKA Yuden
(Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN)
,
TAKAKUWA Yuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 11,Issue 1 ページ： 110122.1-110122.8 発行年： 2013年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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