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文献
J-GLOBAL ID：201302236750404110
整理番号：13A0026542
n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化
Mg acceptor activation in p-GaN of the structure with n-GaN surface
桑野侑香
(名城大 理工)
,
加賀充
(名城大 理工)
,
森田隆敏
(名城大 理工)
,
山下浩司
(名城大 理工)
,
南川大智
(名城大 理工)
,
竹内哲也
(名城大 理工)
,
岩谷素顕
(名城大 理工)
,
上山智
(名城大 理工)
,
赤崎勇
(名城大 理工)
,
赤崎勇
(名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 327(ED2012 65-92) ページ： 81-85 発行年： 2012年11月22日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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