文献
J-GLOBAL ID:201302236957982326
整理番号:13A0722008
Al2O3キャップ形成層によるN2Oにおける酸化後アニーリング中のSiO2O/SiC界面での再酸化抑制の効果
Effect of suppressing reoxidation at SiO2/SiC interface during post-oxidation annealing in N2O with Al2O3 capping layer
著者 (5件):
KIMURA T.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
ISHIKAWA T.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
SOEJIMA N.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
NOMURA K.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
SUGIYAMA T.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
740/742
ページ:
737-740
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)