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文献
J-GLOBAL ID:201302236957982326   整理番号:13A0722008

Al2O3キャップ形成層によるN2Oにおける酸化後アニーリング中のSiO2O/SiC界面での再酸化抑制の効果

Effect of suppressing reoxidation at SiO2/SiC interface during post-oxidation annealing in N2O with Al2O3 capping layer
著者 (5件):
KIMURA T.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
ISHIKAWA T.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
SOEJIMA N.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
NOMURA K.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
SUGIYAMA T.
(Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)

資料名:
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

巻: 740/742  ページ: 737-740  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0716B  ISSN: 0255-5476  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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