文献
J-GLOBAL ID:201302237437478451
整理番号:13A1283100
分子ビームエピタクシーによる希釈BGaP合金の成長
Growth of dilute BGaP alloys by molecular beam epitaxy
著者 (5件):
URAKAMI N.
(Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...)
,
FUKAMI F.
(Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...)
,
SEKIGUCHI H.
(Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...)
,
OKADA H.
(Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...)
,
WAKAHARA A.
(Dep. of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi Univ. of Technol., 1-1 Hibarigaoka, Tempaku-cho ...)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
378
ページ:
96-99
発行年:
2013年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)