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文献
J-GLOBAL ID：201302237536515946
整理番号：13A0536472
リンドープおよびホウ素ドープホモエピタキシャルCVDダイヤモンド膜における光キャリア寿命およびHall効果の光侵入深さ依存性
Light penetration depth dependence of photocarrier life time and the Hall effect in phosphorous-doped and boron-doped homoepitaxial CVD diamond films
MURAYAMA Kazuro
(Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN)
,
MIZOKAWA Ryo
(Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN)
,
MORI Manami
(Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Tokyo 156-8550, JPN)
,
KATO Hiromitsu
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN)
,
OKUSHI Hideyo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN)
,
YAMASAKI Satoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8565, JPN)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 33 ページ： 49-53 発行年： 2013年03月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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