文献
J-GLOBAL ID:201302237549071613
整理番号:13A1579730
(205)逆格子空間写像を用いて150mm Si上に成長させたGaNに基づく構造中のAlGaN層の組成測定
Measuring the composition of AlGaN layers in GaN based structures grown on 150 mm Si substrates using (205) reciprocal space maps
著者 (8件):
WALLIS D J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
WALLIS D J
(Plessey semiconductors Ltd/Plessey Lighting Ltd, Devon, GBR)
,
ZHU D
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
ZHU D
(Plessey semiconductors Ltd/Plessey Lighting Ltd, Devon, GBR)
,
OEHLER F
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
WESTWATER S P
(Plessey semiconductors Ltd/Plessey Lighting Ltd, Devon, GBR)
,
PUJOL A
(Plessey semiconductors Ltd/Plessey Lighting Ltd, Devon, GBR)
,
HUMPHREYS C J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
28
号:
9
ページ:
094006,1-6
発行年:
2013年09月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)