文献
J-GLOBAL ID:201302237660686678
整理番号:13A1773787
400°Cで動作したH終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ
H-terminated Diamond Field Effect Transistors Operated at 400°C
著者 (6件):
KAWARADA H.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TSUBOI H.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
NARUO T.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
DAICHO A.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SAITO T.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
HIRAIWA A.
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM)
(Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM))
ページ:
ROMBUNNO.19A-M4-4
発行年:
2013年
JST資料番号:
M20130006
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)