文献
J-GLOBAL ID:201302237695867420
整理番号:13A0621908
ブレークダウン電圧改善のためのInAlN/GaN HEMTにおけるSchottkyコンタクト技術
Schottky-Contact Technology in InAlN/GaN HEMTs for Breakdown Voltage Improvement
著者 (7件):
ZHOU Qi
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
CHEN Wanjun
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
LIU Shenghou
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
ZHANG Bo
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
FENG Zhihong
(Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang, CHN)
,
CAI Shujun
(Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang, CHN)
,
CHEN Kevin J.
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
60
号:
3
ページ:
1075-1081
発行年:
2013年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)