文献
J-GLOBAL ID:201302237866572946
整理番号:13A0359008
ガス源分子ビームエピタクシー成長した希釈InNxAs1-x/InP(001)の赤外反射率スペクトル
Infrared reflectivity spectra of gas-source molecular beam epitaxy grown dilute InNxAs1-x/InP (001)
著者 (4件):
TALWAR Devki N.
(Dep. of Physics, Indiana Univ. of Pennsylvania, 975 Oakland Avenue, 56 Weyandt Hall, Indiana, Pennsylvania ...)
,
YANG Tzuen-rong
(Dep. of Physics, National Taiwan Normal Univ., Taipei 106-11, Taiwan)
,
HSIUNG LIN Hao
(Inst. of Photonics & Optoelectronics, Dep. of Electrical Engineering and Center for Engineering Material and ...)
,
CHUAN FENG Zhe
(Inst. of Photonics & Optoelectronics, Dep. of Electrical Engineering and Center for Engineering Material and ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
5
ページ:
052110-052110-4
発行年:
2013年02月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)