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文献
J-GLOBAL ID：201302237907170785
整理番号：13A1156505
原子層堆積によりケイ素とヒ化ガリウム基板に成長させた酸化アルミニウム薄膜の電気特性の比較
Comparison of electrical properties of aluminum oxide thin films on silicon and gallium arsenide substrates grown by atomic layer deposition
ZHANG X.
,
REN H.t.
,
LI R.
,
XIANG G.
資料名：
Surface & Coatings Technology
(Surface & Coatings Technology)
巻： 228 号： Supplement 1 ページ： S246-S248 発行年： 2013年08月15日
JST資料番号： D0205C ISSN： 0257-8972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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