文献
J-GLOBAL ID:201302237926076218
整理番号:13A1448783
相変化メモリに適用するためのコンパクトなダイオードアレイモデル
A Compact Diode Array Model for Phase Change Memory Application
著者 (9件):
SU Yanmei
(Peking Univ., CHN)
,
SU Yanmei
(Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
,
YE Yue
(Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
,
WANG Cheng
(Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
,
HE Hongyu
(Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
,
LIANG Hailang
(Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
,
WANG Hao
(Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
,
HE Jin
(Peking Univ., CHN)
,
HE Jin
(Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
資料名:
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience
(Journal of Computational and Theoretical Nanoscience)
巻:
10
号:
11
ページ:
2694-2700
発行年:
2013年11月
JST資料番号:
W2377A
ISSN:
1546-1955
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)