文献
J-GLOBAL ID:201302237957213957
整理番号:13A0722031
SiおよびC放出模型を用いた亜大気圧でのSiC酸化物成長速度のモデル計算
Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
著者 (4件):
HIJIKATA Yasuto
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
YAGI Shuhei
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
YAGUCHI Hiroyuki
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
YOSHIDA Sadafumi
(AIST, Ibaraki, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
740/742
ページ:
833-836
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)