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文献
J-GLOBAL ID:201302237957213957   整理番号:13A0722031

SiおよびC放出模型を用いた亜大気圧でのSiC酸化物成長速度のモデル計算

Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
著者 (4件):
HIJIKATA Yasuto
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
YAGI Shuhei
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
YAGUCHI Hiroyuki
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
YOSHIDA Sadafumi
(AIST, Ibaraki, JPN)

資料名:
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

巻: 740/742  ページ: 833-836  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0716B  ISSN: 0255-5476  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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