文献
J-GLOBAL ID:201302238761493745
整理番号:13A0794458
Heイオン照射チャンネルによる双ゲート・グラフェン・トランジスターの静電的可逆極性:再構成可能なCMOS応用に向けて
Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel: Toward Reconfigurable CMOS Applications
著者 (7件):
NAKAHARAI Shu
(National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
IIJIMA Tomohiko
(National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
OGAWA Shinich
(National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI Shingo
(National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TSUKAGOSHI Kazuhito
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
SATO Shintaro
(National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YOKOYAMA Naoki
(National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2012
ページ:
72-75
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)