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文献
J-GLOBAL ID：201302239155099582
整理番号：13A0239564
可逆的スイッチング応用を目指した酸化ニッケルのプラズマ増強原子層蒸着膜の基板依存成長挙動
Substrate Dependent Growth Behaviors of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Nickel Oxide Films for Resistive Switching Application
SONG Seul Ji
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Sang Woon
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Gun Hwan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SEOK Jun Yeong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOON Kyung Jean
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOON Jung Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG Cheol Seong
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
GATINEAU Julien
(Air Liquide, Ibaraki Pref., JPN)
,
KO Changhee
(Air Liquide, Ibaraki Pref., JPN)
資料名：
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻： 24 号： 24 ページ： 4675-4685 発行年： 2012年12月25日
JST資料番号： T0893A ISSN： 0897-4756 CODEN： CMATEX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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