文献
J-GLOBAL ID:201302239323392517
整理番号:13A0138004
銅/低kテスト構造のTDDB寿命に及ぼす電場増強の影響
Impact of Field Enhancement on TDDB Lifetimes of Cu/Low-k Test Structures
著者 (4件):
ONG R. X.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ONG R. X.
(GLOBAFOUNDRIES Singapore Pte LTD, Singapore)
,
TAN T. L.
(GLOBAFOUNDRIES Singapore Pte LTD, Singapore)
,
GAN C. L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名:
Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
(Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻:
19th
ページ:
293-297
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1259A
ISSN:
1946-1542
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)