文献
J-GLOBAL ID:201302239483459804
整理番号:13A0824817
GaNベースナノロッド構造を用いた太陽水素発生効率における増倍
Enhancement in solar hydrogen generation efficiency using a GaN-based nanorod structure
著者 (3件):
BENTON J.
(Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR)
,
BAI J.
(Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR)
,
WANG T.
(Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
17
ページ:
173905-173905-4
発行年:
2013年04月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)