文献
J-GLOBAL ID:201302240601270647
整理番号:13A0340409
ぺリレンジイミドによるAu/p-Si Schottky素子のSchottky障壁高さの改変
The modification of Schottky barrier height of Au/p-Si Schottky devices by perylene-diimide
著者 (4件):
YUEKSEL Oe. F.
(Dep. of Physics, Fac. of Sci., Selcuk Univ. Campus, Konya 42075 Turkey)
,
TUGLUOGLU N.
(Dep. of Res. and Dev., Saraykoey Nuclear Res. and Training Center, 06983, Saray, Ankara, TUR)
,
SAFAK H.
(Dep. of Physics, Fac. of Sci., Selcuk Univ. Campus, Konya 42075 Turkey)
,
KUS M.
(Dep. of Chemical Engineering, Selcuk Univ. Campus, Konya 42075 Turkey)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
113
号:
4
ページ:
044507-044507-9
発行年:
2013年01月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)