文献
J-GLOBAL ID:201302240654460529
整理番号:13A0026344
SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化-低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化-
High Performance SiC Power Devices and Modules-Miniaturization of System by Low-Ron and High Temperature Operation-
著者 (5件):
中村孝
(ローム 新材料デバイス研究開発セ)
,
明田正俊
(ローム 新材料デバイス研究開発セ)
,
中野佑紀
(ローム 新材料デバイス研究開発セ)
,
大塚拓一
(ローム 新材料デバイス研究開発セ)
,
花田俊雄
(ローム 新材料デバイス研究開発セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
290(SDM2012 98-114)
ページ:
9-10
発行年:
2012年11月08日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)