文献
J-GLOBAL ID:201302241018049378
整理番号:13A1937022
p-GaN表面の誘導結合プラズマエッチング損傷についての高温等温容量過渡分光法による研究
High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces
著者 (6件):
AOKI Toshichika
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
WAKAYAMA Hisashi
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
KANEDA Naoki
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MISHIMA Tomoyoshi
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
NOMOTO Kazuki
(Univ. Notre Dame, IN, USA)
,
SHIOJIMA Kenji
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
11,Issue 2
ページ:
11NH03.1-11NH03.4
発行年:
2013年11月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)