文献
J-GLOBAL ID:201302241709303432
整理番号:13A0243495
ヘテロチャネルSRAMセルの閾値電圧設計及び性能評価
Threshold Voltage Design and Performance Assessment of Hetero-Channel SRAM Cells
著者 (4件):
HU Vita Pi-Ho
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
FAN Ming-Long
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SU Pin
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHUANG Ching-Te
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
60
号:
1
ページ:
147-152
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)