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文献
J-GLOBAL ID：201302241907448322
整理番号：13A1331900
90nmCMOS技術で作られた完全機能化64Mb DDR3 ST-MRAM
A Fully Functional 64Mb DDR3 ST-MRAM Built on 90nm CMOS Technology
RIZZO N. D.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
HOUSSAMEDDINE D.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
JANESKY J.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
WHIG R.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
MANCOFF F. B.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
SCHNEIDER M. L.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
DEHERRERA M.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
SUN J. J.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
NAGEL K.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
DESHPANDE S.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
CHIA H.-J.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
ALAM S. M.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
ANDRE T.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
AGGARWAL S.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
SLAUGHTER J. M.
(Everspin Technol., AZ, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Magnetics
(IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 49 号： 7 ページ： 4441-4446 発行年： 2013年07月
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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