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文献
J-GLOBAL ID：201302241999751603
整理番号：13A1188011
Ge2Sb2Te5における閾値電圧の電気的誘起ドリフトに関する証拠
Evidence for electrically induced drift of threshold voltage in Ge2Sb2Te5
CASSINERIO M.
(Dipartimento di Elttronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano and IUNET, piazza L. da Vinci 32 ...)
,
CIOCCHINI N.
(Dipartimento di Elttronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano and IUNET, piazza L. da Vinci 32 ...)
,
IELMINI D.
(Dipartimento di Elttronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano and IUNET, piazza L. da Vinci 32 ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 2 ページ： 023502-023502-4 発行年： 2013年07月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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